近日，电科装备48所自主研发的新一代8吋SiC高温氧化炉搭载自主创新碳化硅零部件，顺利完成SiC MOSFET流片中试验证，各项核心指标均达到对标产品水平。

　　SiC高温氧化炉是制备碳化硅器件栅氧层的关键核心设备，技术壁垒较高，需要突破传统氧化温度极限。48所凭借多年的技术积累，攻克了大尺寸高温炉体、高均匀热流场及高洁净反应腔等关键技术。该设备搭载全套自主碳化硅全套零部件，顺利完成了氧化均匀性、金属沾污和颗粒指标的稳定性考核，并顺利通过连续批次芯片产品栅氧1000小时可靠性验证，已具备进入Fab厂规模化生产的条件。

　　本次成功验证，是产业链协同创新模式的成功实践，探索出“工艺牵引设备、设备牵引零部件”的协同新模式，打通了“研发-验证-迭代”全链条，为补齐国内产业链短板提供了可复制、可推广的范式。